545亿颗芯片，27台光刻机，ASML、中芯国际传来新消息了

　　作者:木杉说

　　芯片规则修改后，张忠谋就表示芯片全球化已死，芯片本土化成为趋势，但美仍进一步修改芯片规则，进一步限制出货。

　　例如，美限制英伟达、台积电等出货高性能芯片；通过三方协议限制日荷出货先进的半导体设备等。

　　这导致华为等国内厂商进一步放弃高通等芯片，高通已经在季度财务会议发出了警告，将会全面失去华为订单的风险。

　　其实，芯片规则修改后，国内厂商就开始降低对美芯等产品的依赖，华为不仅全面进入芯片半导体领域，还通过哈勃投资国内芯片产业链，联合国内厂商进行突破。

　　目前，华为等国内厂商已经取得了一系列突破，14nm以上EDA工具实现了国产化；中芯14nm等工艺的良品率达到了世界领先水准；越来越来的厂商采用自研芯片。

　　数据显示，今年前七个月，进口芯片减少超545亿颗，同比减少了16.8%，这意味着今年进口芯片将会减少超1000亿。

　　ASML也明确表态，三方协议签订后，就加速向国内厂商出货，第二季度出货光刻机超27台，相比第一季度大幅度增长。

　　尽管ASML已经加速向国内厂商出货，但由于中国厂商充足充分，出货的光刻机仅满足国内厂商需求的50%。

　　ASML财务总监表示第三季度仍会加速向国内厂商出货，9月1日后，将会向国内厂商出货1980i等早期型号的光刻机，并向荷兰政府递交申请。

　　光刻机出货越多，国内芯片产能就越高，中芯国际已经表示8寸晶圆扩产基本完成，今年年底预计有折合8寸晶圆超70万片的产能。

　　单片晶圆可以分割出来150颗到200颗芯片，这意味着今年年底，中芯国际每月将会有超1亿颗的芯片产能。

　　中芯国际作为全球第四大晶圆工厂，梁孟松早就宣布完成了28nm到7nm的跨越，7nm研发任务已经完成，5nm工艺最艰难的八项工作已经展开研发。

　　中芯国际还自研了N+1、N+2等工艺，其逻辑面积类似台积电7nm工艺，但N+1工艺主打低功耗，N+2工艺主打高性能。

　　目前，中芯国际28nm工艺的风险持续降低，14nm工艺的良品率达到了世界领先水准，N+1工艺也实现小规模试产，也达到了预期效果。

　　全球缺芯后，中芯国际就接连投资超1500亿元扩产，主要扩大28nm等工艺的产能，这些工厂将用于不同种类芯片的制造生产。

　　甚至有消息称，中芯国际突然下线了14nm工艺介绍，是配合国内厂商进行14nm工艺非美化验证，未来12个月内，国内还将实现非美7nm全流程。

　　关键是，张忠谋突然变脸，称支持美对中发动芯片战；台积电还派魏哲家等访问上海，并拜访重要客户，加速向国内厂商出货7nm AI芯片等产品。

　　这些消息都能够说明，中芯国际等国内厂商，在芯片制造方面取得了大突破。

　　毕竟，国内半导体设备也给中芯国际等厂商提供了设备支持，上海微电子28nm精度的光刻机已经取得技术验证，国产光刻胶可用ArF工艺，蚀刻机已经突破5nm等。

　　ASML都表示任何一个国家都不可能打造出来完整的芯片产业链，这明显是想让国内厂商放弃，但也侧面说明国内厂商取得的突破，已经让ASML担忧了。

　　认同的请点赞，欢迎留言点赞分享。